相變存儲器 (PCM) 科技–一種新形式的更快, 小, 和密度內存芯片注定要取代閃存–已經在桌子上了一段時間現在. 現在,IBM已經想出了一個突破使PCM數據傳輸“瞬間”和 100 倍的速度比快閃記憶體.
IBM的科學家在蘇黎世來到這些新的突破,為他們的PCM芯片,同時解決兩個主要問題與建築. PCM的工作,通過使用一個專門的合金,可以改變它的物理狀態, 之間的低電阻的結晶到高電阻非晶相, 通過施加電壓.
當阻力上升的芯片,芯片可以存儲多個位數據通過一個位,Flash可以處理. 這與寫結合的延遲 10 微秒和PCM執行 100 倍比閃光.